
يتم تنظيم ذاكرة البرنامج وذاكرة البيانات والسجلات ومنافذ الإدخال/الإخراج في مساحة عنوان خطية واحدة تبلغ 4 جيجابايت. يتم تخزين البيانات في الذاكرة بترتيب البايت الأقل أهمية. يعتبر البايت الأقل أهمية القابل للتوجيه من الكلمة هو البايت الأقل أهمية، ويعتبر البايت الأكثر أهمية القابل للتوجيه هو البايت الأكثر أهمية. يحتوي الجهاز على ذاكرة SRAM ثابتة مدمجة بسعة 64 كيلو بايت.
ص>إن رقائق سلسلة HK32F103xCxDxE عبارة عن وحدات تحكم دقيقة عالية الأداء تم تطويرها بواسطة شركة Shenzhen Hanshun Chip Research and Development Co.,Ltd. يشمل النماذج التالية:
1. HK32F103xC
HK32F103RCT6
HK32F103VCT6
2.HK32F103xD
HK32F103RDT6
HK32F103VDT6
3.HK32F103xE
HK32F103RET6
HK32F103VET6
يتكون النظام الرئيسي من الأجزاء التالية:
1. الوحدات الرائدة:
Cortex®-M3 الأساسية مع ناقل التعليمات البرمجية (D-bus) وناقل النظام (S-bus).
وحدات تحكم عالمية DMA1 وDMA2.
2. الوحدات التابعة:
ذاكرة فلاش داخلية.
ذاكرة الوصول العشوائي الداخلية.
الأجهزة الطرفية AHB لايت.
جسور AHB-APB (APB1 وAPB2) لتوصيل جميع أجهزة APB الطرفية.
FSMC.
جميع هذه الوحدات مترابطة عبر بنية ناقلة متعددة المستويات AHB.
يتم تنظيم ذاكرة البرنامج وذاكرة البيانات والسجلات ومنافذ الإدخال/الإخراج في مساحة عنوان خطية واحدة تبلغ 4 جيجابايت. يتم تخزين البيانات في الذاكرة بترتيب البايت الأقل أهمية. يعتبر البايت الأقل أهمية القابل للتوجيه من الكلمة هو البايت الأقل أهمية، ويعتبر البايت الأكثر أهمية القابل للتوجيه هو البايت الأكثر أهمية. يحتوي الجهاز على ذاكرة SRAM ثابتة مدمجة بسعة 64 كيلو بايت. ويمكن الوصول إليه بايتًا بايت، أو بنصف كلمة (16 بت) أو بكلمات كاملة (32 بت). يتراوح جهد تشغيل الجهاز (VDD) من 2.0 إلى 3.6 فولت. ويتم توفير الجهد الداخلي المطلوب وهو 1.2 فولت للطاقة الرقمية بواسطة منظم الجهد المدمج. في حالة فشل مصدر طاقة VDD الرئيسي، يتم تشغيل ساعة الوقت الحقيقي (RTC) وسجلات النسخ الاحتياطي من مصدر VBAT الاحتياطي. يتم توفير الطاقة للمنطق الرقمي الداخلي للجهاز من خلال LDO المدمج.
يمكن تعديل جهد الخرج الخاص بـ LDO الموجود على الرقاقة عبر السجلات، مما يسمح للبرنامج بتحسين الاستهلاك الحالي للرقاقة اعتمادًا على سيناريو التطبيق. يمكن ضبط جهد خرج LDO بشكل مستقل لوضع التشغيل ووضع الإيقاف.